Początek produkcji pamięci zmiennofazowych

22 września 2009, 13:45

Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami.



Litograficzne problemy

21 września 2009, 08:47

Przemysłowi półprzewodnikowemu doszedł kolejny problem związany z koniecznością przełamywania kolejnych barier w miarę zmniejszania się poszczególnych elementów umieszczanych na krzemie. Tym razem nie chodzi o kłopoty związane z właściwościami materiałów czy odpowiednimi technikami produkcyjnymi.


Globalfoundries ma nowego klienta

29 lipca 2009, 10:36

Firma Globalfoundries, która wyłoniła się z AMD, ogłosiła zdobycie pierwszego dużego klienta. Została nim STMicroelectronics. Ten szwajcarski koncern sprzedaje układy scalone pod własną marką, ale nie posiada własnych fabryk.


Bezprzewodowe gigabity

7 maja 2009, 10:58

Grupa o nazwie WiGig Alliance skupia takich gigantów jak Intel, Microsoft, Nokia czy Panasonic. Chce ona do końca bieżącego roku opracować specyfikację dla technologii krótkodystansowej bezprzewodowej łączności, w której prędkość transferu danych będzie liczona w gigabitach na sekundę.


Samsung rozpocznie produkcję układów PRAM

5 maja 2009, 10:57

W czerwcu Samsung Electronics rozpocznie masową produkcję pamięci PRAM (phase change RAM). Układy PRAM to zmiennofazowe kości RAM.


28-nanometrowe kości już w przyszłym roku

16 kwietnia 2009, 11:37

IBM, Samsung, ARM, STMicroelectronics, Globalfoundries i inne firmy ogłosiły, że w drugiej połowie przyszłego roku rozpoczną dostarczanie układów scalonych wykonanych w technologii 28 nanometrów.


Trzy doby na ogniwie paliwowym

10 kwietnia 2009, 10:17

Samsung ogłosił powstanie wydajnego ogniwa paliwowego dla wojska. W roku 2010 żołnierze będą mogli korzystać z ogniwa DMFC o pojemności 1800 Wh.


Powstała pamięć RRAM?

10 lutego 2009, 11:55

Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).


4 gigabity w jednej kości

29 stycznia 2009, 13:50

Samsung Electronics jest autorem pierwszego czterogigabitowego układu DDR3 DRAM. Kość została wyprodukowana w technologii 50 nanometrów i charakteryzuje się największą gęstością upakowania danych spośród wszystkich podobnych produktów.


Dyski chronione Opalem

28 stycznia 2009, 12:40

Trusted Computing Group, w skład której wchodzą m.in. Fujitsu, Hitachi GST, Seagate, Samsung, Toshiba i Western Digital, czyli najwięksi producenci dysków twardych, ogłosiła ostateczne wersje trzech specyfikacji standardu szyfrowania dysków twardych.


Zostań Patronem

Od 2006 roku popularyzujemy naukę. Chcemy się rozwijać i dostarczać naszym Czytelnikom jeszcze więcej atrakcyjnych treści wysokiej jakości. Dlatego postanowiliśmy poprosić o wsparcie. Zostań naszym Patronem i pomóż nam rozwijać KopalnięWiedzy.

Patronite

Patroni KopalniWiedzy